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型號:  廠家:  批號:  封裝:  精確搜索 
詳細參數
型號:IRFD010
類別:FET - 單
制造商:Vishay Siliconix
封裝:4-DIP(0.300",7.62mm)
描述:MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
系列:HEXFET®
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:50V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.7A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 860mA,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
功率_最大:1W
安裝類型:通孔
封裝__外殼:4-DIP(0.300",7.62mm)
供應商設備封裝:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
包裝:管件
PDF 下載
廠 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated
大 小:76K
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