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型號：  廠家：  批號：  封裝：  精確搜索 
詳細參數
型號：IRFI1010NPBF
類別：FET - 單
制造商：International Rectifier
封裝：TO-220-3 整包
描述：MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP
系列：HEXFET®
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：49A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 26A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2900pF @ 25V
功率_最大：58W
安裝類型：通孔
封裝__外殼：TO-220-3 整包
供應商設備封裝：TO-220AB 整包
包裝：管件
PDF 下載
廠 商：IRF [ International Rectifier ]
描 述：Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=5.9A)
大 小：181K
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經營業務:電阻電容、世界各名廠IC， 我們所銷售產品涉及：ATMEL（愛特梅爾） STC單片機 ALTERA（阿特拉 ） 英特爾（Intel） 、德州儀器（TI） 、飛利浦（Philips） 、海力士（Hynix） 、美國仿真器件（ADI）、國際整流器（IR）、臺灣硅成（ICSI）、三星（Samsung）、瑞薩（Renesas）、東芝（Toshiba）、意法（ST）、摩托羅拉（Motorola）、仙童（Fairchid）、美國美商半導體（AMD）、愛特梅爾（Atmel）、惠普（HP）、安捷倫（Agilent）、達拉斯（Dallas）、美信（Maxim）、納斯達克（Altera）、賽普拉斯（CY）、日立（Hitachi）、Broadcom、Xilinx、哈利斯（Harrsi）、英賽爾（Intersil）、美國集成器件（IDT）、芯成（ISSI）、凌特（Linear）、美國LSI邏輯公司（LSI）、微芯（Microchip）、三菱（Mitsubishi）、美國國家半導體（NS）、日本沖電氣（OKI）、Realtek、羅姆（Rohm）、三洋（Sanyo）、索尼（Sony）等…
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主營業務： 經營業務:電阻,電容、二三極管，晶振，世界各名廠IC， 模塊， 我們所銷售產品涉及：Xilinx、 ALTERA（阿特拉 ） 美國仿真器件（ADI）、Freescale(飛思卡爾） 英特爾（Intel） 、德州儀器（TI） 、飛利浦（Philips） 、海力士（Hynix） 、ATMEL（愛特梅爾） STC單片機 國際整流器（IR）、臺灣硅成（ICSI）、三星（Samsung）、瑞薩（Renesas）、東芝（Toshiba）、意法（ST）、摩托羅拉（Motorola）、仙童（Fairchid）、美國美商半導體（AMD）、愛特梅爾（Atmel）、惠普（HP）、安捷倫（Agilent）、達拉斯（Dallas）、美信（Maxim）、納斯達克（Altera）、賽普拉斯（CY）、日立（Hitachi）、Broadcom、哈利斯（Harrsi）、英賽爾（Intersil）、美國集成器件（IDT）、芯成（ISSI）、凌特（Linear）、美國LSI邏輯公司（LSI）、微芯（Microchip）、三菱（Mitsubishi）、美國國家半導體（NS）、日本沖電氣（OKI）、Realtek、羅姆（Rohm）、三洋（Sanyo）、索尼（Sony）等…
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