型號:IRLD110
類別:FET - 單
制造商:Vishay Siliconix
封裝:4-DIP(0.300",7.62mm)
描述:MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 600mA,5V
Id時的Vgs333th444111最大222:2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
功率_最大:1.3W
安裝類型:通孔
封裝__外殼:4-DIP(0.300",7.62mm)
供應商設備封裝:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
包裝:管件
廠 商:IRF [ International Rectifier ]
描 述:HEXFET POWER MOSFET
大 小:173K