型號:IRLH5030TR2PBF
類別:FET - 單
制造商:International Rectifier
封裝:8-PowerVQFN
描述:MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
系列:HEXFET®
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:13A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫歐 @ 50A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 150µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:94nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5185pF @ 50V
功率_最大:3.6W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-PowerVQFN
供應商設備封裝:PQFN(5x6)單芯片焊盤
包裝:剪切帶 (CT)
廠 商:IRF [ International Rectifier ]
描 述:HEXFET Power MOSFET
大 小:235K