型號:IXFN82N60Q3
類別:FET
制造商:IXYS
封裝:SOT-227-4,miniBLOC
描述:MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
系列:HiPerFET™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:600V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:66A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫歐 @ 41A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:6.5V @ 8mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:275nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:13500pF @ 25V
功率_最大:960W
安裝類型:底座安裝
封裝__外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應商設備封裝:SOT-227B
包裝:管件
廠 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:Trench Gate Power MOSFET HiperFET
大 小:229K