型號：IXFT10N100
類別：FET - 單
制造商：IXYS
封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
描述：MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
系列：HiPerFET™
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）
電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 5A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：4.5V @ 4mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：155nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 25V
功率_最大：300W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
供應商設備封裝：TO-268
包裝：管件
廠 商：IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述：Trench Gate Power MOSFET HiperFET
大 小：229K
