型號:IXFT10N100
類別:FET - 單
制造商:IXYS
封裝:TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA
描述:MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
系列:HiPerFET™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:1000V(1kV)
電流_連續漏極333Id4440a025000C:10A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 歐姆 @ 5A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:4.5V @ 4mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:155nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4000pF @ 25V
功率_最大:300W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA
供應商設備封裝:TO-268
包裝:管件
廠 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:Trench Gate Power MOSFET HiperFET
大 小:229K