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型號:  廠家:  批號:  封裝:  精確搜索 
詳細參數
型號:IXFV110N10P
類別:FET - 單
制造商:IXYS
封裝:TO-220-3(SMT)標片
描述:MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220
系列:PolarHT™ HiPerFET™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:110A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫歐 @ 500mA,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:5V @ 4mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3550pF @ 25V
功率_最大:480W
安裝類型:通孔
封裝__外殼:TO-220-3(SMT)標片
供應商設備封裝:PLUS220
包裝:散裝
PDF 下載
廠 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:Trench Gate Power MOSFET HiperFET
大 小:229K
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查詢更多IXFV12N90供應信息         發布時間:1970/1/1 8:00:00

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