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型號:  廠家:  批號:  封裝:  精確搜索 
詳細參數
型號:IXFY4N60P3
類別:FET - 單
制造商:IXYS
封裝:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
系列:Polar3™ HiPerFET™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:600V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 歐姆 @ 2A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.9nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:365pF @ 25V
功率_最大:114W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:TO-252
包裝:管件
PDF 下載
廠 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:Trench Gate Power MOSFET HiperFET
大 小:229K
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