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詳細參數

型號：IXTA05N100

類別：FET - 單

制造商：IXYS

封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

描述：MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263

系列：-

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）

電流_連續漏極333Id4440a025000C：750mA

開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：17 歐姆 @ 375mA，10V

Id時的Vgs333th444111最大222：4.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V

功率_最大：40W

安裝類型：表面貼裝

封裝__外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：TO-263

包裝：管件

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廠商：IXYS [ IXYS CORPORATION ]

描述：High Voltage MOSFET

大小：554K

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