型號:IXTP01N100D
類別:FET - 單
制造商:IXYS
封裝:TO-220-3
描述:MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:耗盡模式
漏極至源極電壓333Vdss444:1000V(1kV)
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100mA
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:110 歐姆 @ 50mA,0V
Id時的Vgs333th444111最大222:-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:120pF @ 25V
功率_最大:1.1W
安裝類型:通孔
封裝__外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220
包裝:管件
廠 商:IXYS [ IXYS CORPORATION ]
描 述:High Voltage MOSFET
大 小:554K