制造商：Vishay Semiconductors
說明：
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 5.3 A
Rds On-漏源導通電阻: 58 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 13 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.1 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降時間: 10 ns
正向跨導 - 最小值: 15 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 15 ns, 65 ns
系列: SI9
2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
典型關閉延遲時間: 10 ns, 15 ns
典型接通延遲時間: 15 ns, 20 ns
零件號別名: SI9945BDY-GE3
單位重量: 750 mg
