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BC858A-7-F詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS BIPO PNP SGL 300MW SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：15nA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：125 @ 2mA，5V; 功率_最大：300mW; 頻率_轉換：200MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BC858ALT1詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP GP 30V 100MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：125 @ 2mA，5V; 功率_最大：225mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

BC858ALT1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP GP 30V 100MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：125 @ 2mA，5V; 功率_最大：225mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：剪切帶 (CT)

BC858ALT1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP GP 30V 100MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：125 @ 2mA，5V; 功率_最大：225mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：Digi-Reel®

BC858ALT1G詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP GP 30V 100MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：125 @ 2mA，5V; 功率_最大：225mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）; 包裝：帶卷 (TR)

BC858AMTF詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：30V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：310mW; 頻率_轉換：150MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23; 包裝：帶卷 (TR)

74VHC245MTCX
邏輯 - 緩沖器，驅動器，接收器，收發器 Fairchild Semiconductor 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC TRANSCVR 3-ST 8BIT 20TSSOP
C0603C519C5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 5.1PF 50V NP0 0603
C0805C103K4RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 10000PF 16V 10% X7R 0805
C2220C156K5RAC7800
陶瓷 Kemet 2220（5750 公制） CAP CER 15UF 50V 10% X7R 2220
BC857W,135
晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors SC-70，SOT-323 TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323
BFC238332183
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.018UF 1KVDC RADIAL
C0805C511K3GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 510PF 25V 10% NP0 0805
C0603C519D5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 5.1PF 50V NP0 0603
C0805C103K5GAC7800
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 10000PF 50V 10% NP0 0805
BFC238332203
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.02UF 1KVDC RADIAL
BRHL2518T4R7MD
固定式 Taiyo Yuden 1007（2518 公制） INDUCTOR 4.7UH .75A 20% SMD
C0805C183K5RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.018UF 50V 10% X7R 0805
C0805C103K5GAC7800
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 10000PF 50V 10% NP0 0805
C0603C519J5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 5.1PF 50V 5% NP0 0603
C0805C519C1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 5.1PF 100V NP0 0805

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