型號：NE58219-A
類別：RF 晶體管 (BJT)
制造商：CEL
封裝：SC-75，SOT-416
描述：TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI
系列：-
晶體管類型：NPN
電壓_集電極發射極擊穿111最大222：12V
頻率_轉換：5GHz
噪聲系數111dB典型值0a0頻率222：-
增益：-
功率_最大：100mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 5mA，5V
電流_集電極333Ic444111最大222：60mA
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：SC-75，SOT-416
供應商設備封裝：3 針 SuperMiniMold (19)
包裝：散裝
廠 商：NEC [ NEC ELECTRONICS ]
描 述：1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
大 小：44K
QQ：5645336 復制
