型號：PHM21NQ15T,518
類別：FET - 單
制造商：NXP Semiconductors
封裝：8-VDFN 裸露焊盤
描述：MOSFET N-CH 150V 22.2A SOT685-1
系列：TrenchMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：150V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：22.2A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 15A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：4V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：36.2nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2080pF @ 25V
功率_最大：62.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：8-VDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝：8-HVSON
包裝：帶卷 (TR)
廠 商：POLYFET [ Polyfet RF Devices ]
描 述：The PHM008 is a dual stage amplifier specifically designed for Land Mobile
大 小：39K
QQ：5645336 復制
