型號：RFD4N06LSM9A
類別：FET - 單
制造商：Fairchild Semiconductor
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
描述：MOSFET N-CH 60V 4A DPAK
系列：-
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 1A，5V
Id時的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：30W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝：D-Pak
包裝：帶卷 (TR)
廠 商：FAIRCHILD [ FAIRCHILD ]
描 述：10A, 30V, 0.200W, Logic Level P-Channel Power MOSFET
大 小：278K
QQ：5645336 復制
