一般說明
這些P溝道增強型功率場效應晶體管使用溝槽DMOS技術。這種先進的技術特別適合于最小化導通狀態電阻，提供優異的開關，并在雪崩和換向模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適合高效率快速開關應用。
特征
-18V，-80A，RDS（ON）=2.7mΩ@VGS=-10V
改進的dv/dt能力
快速切換
綠色設備可用
應用
筆記本
負載開關
網絡
手持儀器
VDS漏極-源極電壓-18 V
VGS柵源電壓±12 V
ID漏電流-連續（TC=25℃）-80 A
漏電流-連續（TC=100℃）-54 A
MSK100N03DF DFN3X3-8L
MSK30N03DF DFN3X3-8L
MSK50P03NF DFN5X6-8L
MSK50N03DF DFN3X3-8L
MSK60N03DF DFN3X3-8L
MSK20P80GNF DFN5X6-8L
