型號:SI2312BDS-T1-GE3
類別:FET - 單
制造商:Vishay Siliconix
封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
描述:MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.9A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫歐 @ 5A,4.5V
Id時的Vgs333th444111最大222:850mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:750mW
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
包裝:剪切帶 (CT)
廠 商:SILABS [ Silicon Laboratories ]
描 述:SATELLITE RECEIVER FOR DVB-S/DSS
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