型號:SI3900DV-T1-E3
類別:FET - 陣列
制造商:Vishay Siliconix
封裝:6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 2.0A 6-TSOP
系列:TrenchFET®
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:125 毫歐 @ 2.4A,4.5V
Id時的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:4nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:830mW
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
供應商設備封裝:6-TSOP
包裝:Digi-Reel®
廠 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
大 小:254K