型號:SI4004DY-T1-GE3
類別:FET - 單
制造商:Vishay Siliconix
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET N-CH 20V 8-SOIC
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:13.8 毫歐 @ 11A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1280pF @ 10V
功率_最大:5W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
大 小:282K