型號：SI4004DY-T1-GE3
類別：FET - 單
制造商：Vishay Siliconix
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
描述：MOSFET N-CH 20V 8-SOIC
系列：TrenchFET®
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：12A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：13.8 毫歐 @ 11A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1280pF @ 10V
功率_最大：5W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SOIC N
包裝：帶卷 (TR)
廠 商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
大 小：282K
QQ：1706225720 復制
