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型號:  廠家:  批號:  封裝:  精確搜索 
詳細參數
型號:SI4100DY-T1-E3
類別:FET - 單
制造商:Vishay Siliconix
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.8A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:63 毫歐 @ 4.4A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:4.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:600pF @ 50V
功率_最大:6W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)
PDF 下載
廠 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
大 小:282K
相關型號
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封裝
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