型號：SI4500BDY-T1-E3
類別：FET - 陣列
制造商：Vishay Siliconix
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
描述：MOSFET N/P-CH HALF BRG 20V 8SOIC
系列：TrenchFET®
FET型：N 和 P 溝道
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.6A，3.8A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 9.1A，4.5V
Id時的Vgs333th444111最大222：1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SOIC N
包裝：剪切帶 (CT)
廠 商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
大 小：282K
QQ：2850388359 復制
