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型號：  廠家：  批號：  封裝：  精確搜索 
詳細參數
型號：SI4618DY-T1-E3
類別：FET - 陣列
制造商：Vishay Siliconix
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
系列：TrenchFET®
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.7A，11.4A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫歐 @ 8A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1535pF @ 15V
功率_最大：1.38W，2.35W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SOIC N
包裝：Digi-Reel®
PDF 下載
廠 商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
大 小：282K
相關型號
供貨商
型號
廠家
批號
數量
封裝
單價/備注
操作
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集成電路IC、二三極管、電容電阻、開關、晶振、繼電器、連接器等電子元器件。
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