型號:SI4900DY-T1-E3
類別:FET - 陣列
制造商:Vishay Siliconix
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET N-CH DUAL 60V 5.3A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.3A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫歐 @ 4.3A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:665pF @ 15V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC N
包裝:剪切帶 (CT)
廠 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
大 小:62K