型號：SI4900DY-T1-E3
類別：FET - 陣列
制造商：Vishay Siliconix
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
描述：MOSFET N-CH DUAL 60V 5.3A 8-SOIC
系列：TrenchFET®
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.3A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫歐 @ 4.3A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：665pF @ 15V
功率_最大：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝：8-SOIC N
包裝：剪切帶 (CT)
廠 商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
大 小：282K
QQ：2881920863 復制
