型號:SI5902BDC-T1-E3
類別:FET - 陣列
制造商:Vishay Siliconix
封裝:8-SMD,扁平引線
描述:MOSFET N-CH 30V CHIPFET 1206-8
系列:TrenchFET®
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫歐 @ 3.1A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:7nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:220pF @ 15V
功率_最大:3.12W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:1206-8 ChipFET?
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
大 小:168K