型號:SI6463BDQ-T1-E3
類別:FET - 單
制造商:Vishay Siliconix
封裝:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
描述:MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.2A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:15 毫歐 @ 7.4A,4.5V
Id時的Vgs333th444111最大222:800mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.05W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商設備封裝:8-TSSOP
包裝:Digi-Reel®
廠 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
大 小:47K