型號:SI9407BDY-T1-E3
類別:FET - 單
制造商:Vishay Siliconix
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
系列:-
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.7A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫歐 @ 3.2A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:600pF @ 30V
功率_最大:5W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC N
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
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