型號:SIE862DF-T1-GE3
類別:FET - 單
制造商:Vishay Siliconix
封裝:10-PolarPAK?(U)
描述:MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:50A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:3.2 毫歐 @ 20A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:2.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:75nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3100pF @ 15V
功率_最大:104W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:10-PolarPAK?(U)
供應商設備封裝:10-PolarPAK?(U)
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
大 小:215K