型號:SIR800DP-T1-GE3
類別:FET - 單
制造商:Vishay Siliconix
封裝:PowerPAK? SO-8
描述:MOSFET N-CH 20V 8-SOIC
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:50A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:2.3 毫歐 @ 15A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:133nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5125pF @ 10V
功率_最大:69W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
大 小:524K