型號:SIRA12DP-T1-GE3
類別:FET - 單
制造商:Vishay Siliconix
封裝:PowerPAK? SO-8
描述:MOSFET N-CH 30V 25A SO8 PWR PK
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:25A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:4.3 毫歐 @ 10A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:2.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2070pF @ 15V
功率_最大:31W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
包裝:Digi-Reel®
廠 商:EVERLIGHT [ EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD ]
描 述:Chip Infrared LED With Right Angle Lens
大 小:213K