型號：SIS902DN-T1-GE3
類別：FET - 陣列
制造商：Vishay Siliconix
封裝：PowerPAK? 1212-8 雙
描述：MOSFET N-CH D-S 75V 1212-8 PPAK
系列：TrenchFET®
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：75V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：186 毫歐 @ 3A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：175pF @ 38V
功率_最大：15.4W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：PowerPAK? 1212-8 雙
供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual
包裝：剪切帶 (CT)
廠 商：SANYO [ Sanyo Semicon Device ]
描 述：Black and White Image Sensor Camera Module
大 小：82K
