型號:SISA04DN-T1-GE3
類別:FET - 單
制造商:Vishay Siliconix
封裝:PowerPAK? 1212-8
描述:MOSFET N-CH 30V 1212-8
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:40A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:2.15 毫歐 @ 15A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:2.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:77nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3595pF @ 15V
功率_最大:52W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:PowerPAK? 1212-8
供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:SANYO [ Sanyo Semicon Device ]
描 述:Black and White Image Sensor Camera Module
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