型號：SPB02N60C3
類別：FET - 單
制造商：Infineon Technologies
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
描述：MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
系列：CoolMOS™
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：650V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.1A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：3.9V @ 80µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：12.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V
功率_最大：25W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝：PG-TO263-3
包裝：帶卷 (TR)
廠 商：SSDI [ Solid States Devices, Inc ]
描 述：10 AMP 20 VOLTS BYPASS DIODE ASSEMBLY
大 小：50K
QQ：5645336 復制
