型號:SPD01N60C3
類別:FET - 單
制造商:Infineon Technologies
封裝:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
系列:CoolMOS™
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:650V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:800mA
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:6 歐姆 @ 500mA,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:3.9V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:100pF @ 25V
功率_最大:11W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PG-TO252-3
包裝:Digi-Reel®
廠 商:INFINEON [ INFINEON ]
描 述:SIPMOS? Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode
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