型號:SQJ412EP-T1-GE3
類別:FET - 單
制造商:Vishay Siliconix
封裝:PowerPAK? SO-8
描述:MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:32A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 10.3A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:120nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5950pF @ 20V
功率_最大:83W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
包裝:Digi-Reel®
廠 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:Automotive N- and P-Channel 40 V (D-S) 175 Celsius MOSFET
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