型號：SQM110N04-02L-GE3
類別：FET - 單
制造商：Vishay Siliconix
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
描述：MOSFET N-CH D-S 40V TO263
系列：TrenchFET®
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：120A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：2.3 毫歐 @ 30A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：250nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：9000pF @ 25V
功率_最大：375W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝：TO-263（D2Pak）
包裝：帶卷 (TR)
廠 商：VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：N-Channel 330 V (D-S) 175 Celsius MOSFET
大 小：180K
QQ：1584878981 復制
