型號:SQM110N04-02L-GE3
類別:FET - 單
制造商:Vishay Siliconix
封裝:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
描述:MOSFET N-CH D-S 40V TO263
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:120A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:2.3 毫歐 @ 30A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:250nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:9000pF @ 25V
功率_最大:375W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:TO-263(D2Pak)
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 330 V (D-S) 175 Celsius MOSFET
大 小:180K