型號:SUD23N06-31-GE3
類別:FET - 單
制造商:Vishay Siliconix
封裝:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
描述:MOSFET N-CH 60V 9.1A TO-252
系列:-
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:21.4A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫歐 @ 15A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:670pF @ 25V
功率_最大:31.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:TO-252,(D-Pak)
包裝:帶卷 (TR)
廠 商:VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
大 小:43K