型號：SUD23N06-31-GE3
類別：FET - 單
制造商：Vishay Siliconix
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
描述：MOSFET N-CH 60V 9.1A TO-252
系列：-
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：21.4A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 15A，10V
Id時的Vgs333th444111最大222：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 25V
功率_最大：31.25W
安裝類型：表面貼裝
封裝__外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）
包裝：帶卷 (TR)
廠 商：VISAY [ Vishay Siliconix ]
描 述：N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET
大 小：62K
QQ：5645336 復制
