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詳細參數

型號：SUP60N02-4M5P-E3

類別：FET - 單

制造商：Vishay Siliconix

封裝：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH D-S 20V TO220AB

系列：TrenchFET®

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A

開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 20A，10V

Id時的Vgs333th444111最大222：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：5950pF @ 10V

功率_最大：3.75W

安裝類型：通孔

封裝__外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：帶卷 (TR)

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廠商：VISAY [ Vishay Siliconix ]

描述：P-Channel 8-V (D-S), 175C MOSFET

大小：49K

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