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型號:  廠家:  批號:  封裝:  精確搜索 
詳細參數
型號:SI4401BDY-T1-E3
類別:FET - 單
制造商:Vishay Siliconix
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:8.7A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫歐 @ 10.5A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC N
包裝:剪切帶 (CT)
PDF 下載
廠 商:VISHAY [ Vishay Siliconix ]
描 述:N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
大 小:282K
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封裝
單價/備注
操作
查詢更多Si4464DY-T1-E供應信息         發布時間:1970/1/1 8:00:00

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