型號:TPS1100D
類別:FET - 單
制造商:Texas Instruments
封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
描述:MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
系列:-
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:15V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.6A
開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫歐 @ 1.5A,10V
Id時的Vgs333th444111最大222:1.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:5.45nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:791mW
安裝類型:表面貼裝
封裝__外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOIC
包裝:管件
廠 商:TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
描 述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
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