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詳細參數

型號：US6M11TR

類別：FET - 陣列

制造商：Rohm Semiconductor

封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

描述：MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6

系列：-

FET型：N 和 P 溝道

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V，12V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.5A，1.3A

開態Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 1.5A，4.5V

Id時的Vgs333th444111最大222：1V @ 1mA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.8nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：110pF @ 10V

功率_最大：700mW

安裝類型：表面貼裝

封裝__外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供應商設備封裝：UMT6

包裝：帶卷 (TR)

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廠商：MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]

描述：RECTIFIERS ASSEMBLIES

大小：157K

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