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2N61 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2N6107詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP PWR GP 7A 70V TO220AB
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):7A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):70V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):3.5V @ 3A,7A
電流_集電極截止(最大):1mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 2A,4V
功率_最大:40W
頻率_轉換:10MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

2N6107G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP PWR GP 7A 70V TO220AB
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):7A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):70V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):3.5V @ 3A,7A
電流_集電極截止(最大):1mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 2A,4V
功率_最大:40W
頻率_轉換:10MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

2N6109詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP PWR GP 7A 70V TO220AB
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):7A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):3.5V @ 3A,7A
電流_集電極截止(最大):1mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 2.5A,4V
功率_最大:40W
頻率_轉換:10MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

2N6109G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP PWR GP 7A 50V TO220AB
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):7A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):3.5V @ 3A,7A
電流_集電極截止(最大):1mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 2.5A,4V
功率_最大:40W
頻率_轉換:10MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

2N6111詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP PWR GP 7A 70V TO220AB
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):7A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):3.5V @ 3A,7A
電流_集電極截止(最大):1mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 3A,4V
功率_最大:40W
頻率_轉換:10MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

2N6111詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 30V 7A TO-220
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):7A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):3.5V @ 3A,7A
電流_集電極截止(最大):1mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 3A,4V
功率_最大:40W
頻率_轉換:4MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

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