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2N7002DW 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2N7002DW詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N CH DL 60V 115MA SC70-6
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:115mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 歐姆 @ 50mA,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SC-70-6
包裝:Digi-Reel®

2N7002DW詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N CH DL 60V 115MA SC70-6
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:115mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 歐姆 @ 50mA,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SC-70-6
包裝:剪切帶 (CT)

2N7002DW詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N CH DL 60V 115MA SC70-6
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:115mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 歐姆 @ 50mA,5V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:SC-70-6
包裝:帶卷 (TR)

2N7002DW H6327詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:300mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 歐姆 @ 500mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:0.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:20pF @ 25V
功率_最大:500mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:PG-SOT363-6
包裝:帶卷 (TR)

2N7002DW H6327詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:300mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 歐姆 @ 500mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:0.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:20pF @ 25V
功率_最大:500mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:PG-SOT363-6
包裝:剪切帶 (CT)

2N7002DW H6327詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:300mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 歐姆 @ 500mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:0.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:20pF @ 25V
功率_最大:500mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝:PG-SOT363-6
包裝:Digi-Reel®

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