2N7002P的供應信息|PDF資料|求購2N7002P上51電子網

2N7002P,215詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH SGL 60V SOT-23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：360mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 10V; 功率_最大：350mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：TO-236AB; 包裝：帶卷 (TR)

2N7002P,215詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH SGL 60V SOT-23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：360mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 10V; 功率_最大：350mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：TO-236AB; 包裝：Digi-Reel®

2N7002P,215詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH SGL 60V SOT-23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：360mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 10V; 功率_最大：350mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：TO-236AB; 包裝：剪切帶 (CT)

2N7002P,235詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH SGL 60V SOT-23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：360mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 10V; 功率_最大：350mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：TO-236AB; 包裝：帶卷 (TR)

2N7002PM,315詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH SGL 60V SOT-883; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：300mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：250mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-101，SOT-883; 供應商設備封裝：SOT-883; 包裝：帶卷 (TR)

2N7002PS,115詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 60V 6TSSOP; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：320mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.8nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：50pF @ 10V; 功率_最大：280mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應商設備封裝：6-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

25J6K0
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RESISTOR WIREWOUND 6.0K OHM 5W
3-1437290-8
矩形 - 外殼 TE Connectivity 軸向 HOUSING
2N7002MTF
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
30CTQ060STRLPBF
二極管，整流器 - 陣列 Vishay Semiconductors TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB DIODE SCHOTTKY 60V 15A D2PAK
412-59585
配件 Power-One TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB COVER FOR MAP80 SERIES
25J6K8E
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RESISTOR WIREWOUND 6.8K OHM 5W
3-1879028-0
芯片電阻 - 表面安裝 TE Connectivity 0805（2012 公制） RES 6.19 OHM 1/10W 0.1% 0805
325031-11-0
接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 0805（2012 公制） TERM BARRIER 11CIRC SGL ROW .325
3130-F110-P7T1-W02Q-12A
斷路器 E-T-A 0805（2012 公制） CIR BRKR THRM 12A ROCKER 250V
3G3AX-RAO04100075-DE
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 3G3_X OUTPUT AC REACTOR
412-59585-G
配件 Power-One 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 COVER FOR MAP80 SERIES
25J75RE
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RESISTOR WIREWOUND 75 OHM 5W
3-1879028-1
芯片電阻 - 表面安裝 TE Connectivity 0805（2012 公制） RES 6.34 OHM 1/10W 0.1% 0805
325032-05-0
接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 0805（2012 公制） TERM BARRIER 5CIRC SGL ROW .325
3-1437397-2
接線座 - 配件 TE Connectivity 0805（2012 公制） CONN TERM BLOCK FUSE 22-8AWG

91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av