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2SA141 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SA1416S-TD-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP BIPO 1A 100V SOT89-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 40mA,400mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,5V
功率_最大:500mW
頻率_轉換:120MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

2SA1416T-TD-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP BIPO 1A 100V SOT89-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 40mA,400mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,5V
功率_最大:500mW
頻率_轉換:120MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

2SA1417S-TD-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP BIPO 2A 100V SOT89-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,5V
功率_最大:500mW
頻率_轉換:120MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

2SA1417T-TD-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP BIPO 2A 100V SOT89-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,5V
功率_最大:500mW
頻率_轉換:120MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

2SA1418S-TD-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP BIPO 0.7A 160V SOT89-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):700mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):160V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 25mA,250mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,5V
功率_最大:500mW
頻率_轉換:120MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

2SA1419S-TD-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP BIPO 1.5A 160V SOT89-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1.5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):160V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):450mV @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,5V
功率_最大:500mW
頻率_轉換:120MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

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