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IC供應PDF資料非IC供應

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2SA183 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SA1834TLR詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 20V 10A SOT-428
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):10A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 50mA,4A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:CPT3
包裝:Digi-Reel®

2SA1834TLR詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 20V 10A SOT-428
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):10A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 50mA,4A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:CPT3
包裝:剪切帶 (CT)

2SA1834TLR詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 20V 10A SOT-428
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):10A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 50mA,4A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:CPT3
包裝:帶卷 (TR)

2SA1834TLS詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 20V 10A SOT-428 TR
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):10A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 50mA,4A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:270 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:CPT3
包裝:帶卷 (TR)

2SA1837詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP -230V -1A TO220NIS
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):230V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,5V
功率_最大:2W
頻率_轉換:70MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220NIS
包裝:管件

2SA1837(F,M)詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP -230V -1A TO220NIS
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):230V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,5V
功率_最大:2W
頻率_轉換:70MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220NIS
包裝:管件

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